控制全球DRAM内存芯片市场几乎全部份额的三家公司，，三星电子、SK海力士和美光，，遭到第三起集体诉讼，指控它们合谋操纵价格，此次是通过将AI高带宽内存（HBM）转型作为武器。
该诉讼已提交至美国加利福尼亚北区联邦地区法院，旨在代表2022年10月26日至今购买传统DRAM或含有DRAM设备的数百万消费者和企业。这是自2000年代以来在美国针对这三家公司提起的第三起重大价格操纵案。
指控：以HBM转型为幌子削减供应
诉状的核心主张是，这三家制造商协调将产能从传统DDR3和DDR4内存转向HBM（用于AI服务器的高端内存），并非仅仅出于真实需求增长，而是作为一项蓄意策略，以限制主流DRAM供应并推高价格。
根据诉状，DRAM价格在2024年第三季度至2026年第一季度期间上涨了约697%。在竞争性商品市场中，这样的价格上涨通常会吸引新的供应。然而诉状称，三家生产商同时削减了传统产能。
“DRAM寡头们同时削减产量，协调转向HBM并退出DDR3和DDR4，以其他方式减少和锁定传统DRAM供应，而价格以令人瞠目的规模和速度飙升，”诉状写道。
诉讼援引苹果近期对Mac和iPad全线涨价作为下游损害的直接证据。包括戴尔和联想在内的其他PC制造商也已就内存成本压力向投资者发出警告；联想将组件价格高企描述为”新常态”。
屡犯模式
这并非这些公司首次被指控使用相同手段。2000年代，美国司法部对三星和SK海力士提起刑事价格操纵指控，导致认罪、合计7.31亿美元（约5.75亿英镑）罚款以及多名高管被判监禁。美光因配合调查而免于起诉。
2016年至2018年间的第二波诉讼由DRAM价格上涨130%引发，导致集体诉讼和中国监管机构调查，但美国案件最终被驳回。
“此处指控的行为是同一市场、同一企业间的第三轮相同周期，”原告指出。
结构性护城河
建造一座现代DRAM晶圆厂耗资150至200亿美元（约120至160亿英镑），需要数年才能投产，客户认证期长达12至18个月。美国对先进芯片制造设备的出口限制进一步阻挡了潜在竞争者。诉状认为，这一结构性壁垒意味着当三家老牌企业协调限制供应时，外部企业无法扩大产能以压低价格。
未来走向
这些公司尚未被认定有责。三星和SK海力士在本文发稿时尚未公开回应；美光拒绝置评。但对消费者而言，法律走向不如市场现实重要。投资银行杰富瑞预测，内存价格将在2026年第三季度环比再涨40%至50%，第四季度再涨30%至40%，2027年全年价格预计增长40%至45%。
无论合谋指控最终能否在法庭上成立，此案揭示的结构性动态，，三家公司控制着关键组件市场近100%的份额，而AI热潮为协同供应削减提供了看似合理的掩护，，不太可能自行化解。
来源：Tom’s Hardware（2026年7月3日）；tech-ish.com（Hillary Keverenge，2026年6月30日）；Macrostream
婷 翻译