DRAM独立模组制造商供应量恐在2027年暴跌70%,HBM吞噬晶圆厂产能

内存行业从通用DRAM向人工智能用高带宽内存的结构性转变,即将对供应消费者和企业实际购买模组的公司造成迄今最严重的打击。Apacer Technology首席执行官7月24日警告称,三星、SK海力士和美光对独立模组制造商的芯片分配量在2027年同比可能下降超过70%,2026年销量中仅有约30%可供公开市场使用。

领导这家台湾内存模组制造商的张嘉坤在Apacer 2026年上半年投资者会议上做出了这一预测。他表示,公司面临的最大风险不再是支付高昂的DRAM芯片价格,而是能否获得任何供应。Apacer的应对措施是积极囤货,库存增至新台币124亿元(约合3.83亿美元),较上季度增长48%,并安排了一笔新台币40亿元(1.24亿美元)的银团贷款,在芯片仍有供应时购买更多芯片。

其根本原因是结构性的,而非周期性的。所有三大DRAM制造商都在稳步将晶圆产出转向HBM,这种3D堆叠内存用于Nvidia和AMD的AI加速器。一颗HBM裸片所需的晶圆面积是同等容量常规DDR5裸片的三到五倍,而且这一比率正随着每一代产品而扩大:HBM4及其后续产品每颗芯片消耗更多硅片。全球约60%的DRAM制造产能已用于服务器应用,这一比例预计还将增长。

三星、SK海力士和美光这三大巨头控制着全球90%以上的DRAM市场。与过去的繁荣衰退周期不同,它们并未积极增加产能。资本支出直接用于HBM专用晶圆厂扩建,而非通用DRAM产出。SK海力士2026年第二季度利润同比增长557%,并宣布了一项主要与HBM生产相关的270亿美元扩张计划。与超大规模客户签订的多年度供应协议在最赚钱的产出进入现货市场之前就将其锁定。

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其后果在整个供应链中层层传导。模组制造商如Apacer、ADATA、十铨科技和创见从制造商处购买原始DRAM芯片,将其组装到印刷电路板上进行测试,然后将成品模组销售给零售商、系统集成商和工业客户。如果它们的分配量下降70%,消费级DRAM市场将面临供应短缺和价格急剧上涨的双重压力。DRAM合约价格预计已在2026年第三季度上涨约30%,NAND闪存价格涨幅超过20%。

这种压力不仅限于PC领域。随着先进驾驶辅助系统、信息娱乐系统和电子控制单元的发展,汽车的存储内容不断增加,汽车制造商也感受到了压力。TrendForce等研究机构的行业观察人士预测,严重短缺至少将持续到2027年年中,在下一波HBM专用制造产能上线之前不会出现实质性缓解。

消费者面临的市场中,内存可能占PC总组件成本的30%或更多,而历史范围为5%至10%。模组制造商面临一个更关乎存亡的问题:那些具备足够资产负债表实力在价格高位囤货的企业可能存活下来;而那些不具备这种实力的企业可能会被淘汰,行业将向少数能够确保供应的参与者集中。

对于DRAM制造商自身而言,这一转型是一个战略性的赌注,即AI需求将在未来数年持续吸收其利润率最高的产出。对于供应链中的其他各方而言,这是一场考验:旧的市场结构(独立模组制造商提供价格竞争和零售分销)能否在围绕向超大规模客户直接供货而组织的内存行业中生存下来。

Sources: DRAM supply to module makers could drop by more than 70% in 2027 (Tom’s Hardware, Jul 29); Apacer CEO warns of severe DRAM shortage (TweakTown, Jul 29); TrendForce DRAM supply outlook 2027 (TrendForce, 2026)

婷 翻译

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