中国在半导体领域跨越了一个许多行业分析师认为仍需数年才能达到的里程碑。据The Information报道，一家位于上海的国有背景企业已开始量产浸没式深紫外（DUV）光刻机––这种先进设备用于在硅晶圆上蚀刻电路图案。
这家未公开名称的制造商计划今年交付五台设备，到2027年交付约二十台。首批客户包括中国最大的晶圆代工厂中芯国际（SMIC）、存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）以及华虹半导体。虽然二十台设备仅相当于ASML年产量的一小部分––这家荷兰公司去年单是浸没式DUV设备就出货了131台––但其意义在于生产能力的建立本身，而非初始数量。
浸没式DUV光刻技术使用氟化氩准分子激光产生193纳米波长的光，光线穿过一层超纯水后，将电路图案印刻到晶圆上。该技术是7纳米及以下先进芯片制造的基石，结合多重图形化技术可达到5纳米。此前，全球仅有ASML一家商业供应商，尼康和佳能虽有供货但规模小得多。
这一突破已经酝酿多年。中芯国际于2025年9月开始测试上海御量盛科技（Shanghai Yuliangsheng Technology）制造的国产浸没式DUV扫描仪，这家初创企业与华为和SiCarrier有关联。该设备最初针对28纳米级工艺，但多重图形化技术可将其推向更精细的节点。另一家国产设备制造商上海微电子（SMEE）据称已售出约十台SSA800系列设备，同样面向28纳米浸没式光刻。
此次量产启动之际，美国正加紧限制中国获取先进芯片制造设备。华盛顿此前将出口管制重点放在极紫外（EUV）光刻技术上––这是5纳米及以下节点所必需的技术。但美国国会议员于2026年4月提出对浸没式DUV设备实施额外限制，意识到配备多重图形化技术的DUV设备可大幅缩小差距。新的国产供应有望削弱此类管制的影响。
这些设备的性能仍存疑问。ASML的旗舰机型TWINSCAN NXT:2150i每小时可处理超过310片晶圆，单次曝光即可达到7纳米。中国系统的吞吐量和精度规格尚未公布，据称这些设备仍依赖部分进口日本组件。对于运行在成熟节点的长鑫存储DRAM生产而言，性能差距影响较小。但对于中芯国际希望通过自对准四重图形化技术生产5纳米级芯片的雄心而言，这些设备需要证明其尚未得到验证的良率和精度。
Sources: China begins mass production of homegrown immersion chipmaking machines (Tom’s Hardware, 2026年7月27日); China Begins Limited Production of Domestic Immersion DUV Machines (TechPowerUp, 2026年7月27日); China begins limited production of homegrown immersion DUV lithography machines (Crypto Briefing, 2026年7月27日); China Starts Mass-Producing Homegrown DUV Chipmaking Tools (The Information, 2026年7月27日)
婷 翻译