中国が半導体業界において、多くのアナリストが数年先と見込んでいたマイルストーンを達成しました。ザ・インフォメーションの報道によると、上海を拠点とする国有企業が、シリコンウェハーに回路パターンを焼き付けるための先進装置である液浸深紫外線（DUV）リソグラフィ装置の量産を開始したとのことです。
社名が非公開の当該メーカーは、今年中に5台、2027年までに約20台の納入を目指しています。最初の顧客には、中国最大のファウンドリーであるSMIC、メモリーメーカーのCXMT、華虹半導体が含まれます。20台という数字は、オランダのASMLが昨年だけで131台の液浸DUV装置を出荷したことに比べれば微々たるものですが、その意義は初期の台数そのものではなく、生産能力そのものを確立した点にあります。
液浸DUVリソグラフィは、フッ化アルゴンエキシマレーザーを用いて193ナノメートル波長の光を生成し、超高純度水の層を通過させてからウェハー上に回路パターンを焼き付けます。この技術は、7ナノメートルまでの先端チップ製造の中核であり、マルチパターニング技術と組み合わせれば5ナノメートルまで対応可能です。これまで商業サプライヤーはASMLのみであり、ニコンとキヤノンも一部供給してきましたが、その規模ははるかに小規模でした。
この進展は何年も前から準備が進められてきました。SMICは2025年9月、華為技術（ファーウェイ）やサイキャリア（SiCarrier）と関係のある新興企業、上海御量盛科技（Shanghai Yuliangsheng Technology）が製造した国産液浸DUVスキャナーのテストを開始しました。この装置は当初28ナノメートル級のプロセスをターゲットとしており、マルチパターニング技術によりさらに微細なノードへの対応も可能です。もう一つの国産装置メーカーである上海微電子（SMEE）は、同じく28ナノメートルの液浸リソグラフィをターゲットとしたSSA800シリーズを約10台販売したと報じられています。
この生産拡大は、米国による中国への先端チップ製造装置アクセス制限が加速する中で実現しました。ワシントンはこれまで、5ナノメートル以下のノードに必要な極端紫外線（EUV）リソグラフィに輸出規制を集中してきました。しかし米国議会は2026年4月、マルチパターニング対応のDUV装置がその差を大幅に埋められることを認識し、液浸DUV工具に対する追加規制を提案しました。今回の国産供給体制は、こうした規制の影響を緩和する可能性があります。
装置の性能には依然として疑問が残ります。ASMLのフラッグシップ機種であるTWINSCAN NXT:2150iは、1時間あたり310枚以上のウェハーを処理し、シングルパスで7ナノメートルを達成します。中国製システムのスループットと精度の仕様は公表されておらず、一部の日本製部品に依然依存しているとされています。成熟ノードで動作するCXMTのDRAM生産では、性能差の影響は限定的です。しかし、自己整合クアドラプルパターニングを用いた5ナノメートル級チップの製造を目指すSMICの野望にとっては、これらの装置は未だ検証されていない歩留まりと精度を示す必要があります。
Sources: China begins mass production of homegrown immersion chipmaking machines (Tom’s Hardware, 2026年7月27日); China Begins Limited Production of Domestic Immersion DUV Machines (TechPowerUp, 2026年7月27日); China begins limited production of homegrown immersion DUV lithography machines (Crypto Briefing, 2026年7月27日); China Starts Mass-Producing Homegrown DUV Chipmaking Tools (The Information, 2026年7月27日)
雅子 訳