China ha cruzado un hito en semiconductores que muchos analistas del sector consideraban que estaba a años de distancia. Una empresa afiliada al Estado con sede en Shanghái ha comenzado a producir en masa máquinas de litografía DUV por inmersión, las herramientas avanzadas utilizadas para grabar patrones de circuitos en obleas de silicio, según informes de The Information.
El fabricante, cuyo nombre no se ha revelado, planea entregar cinco unidades este año y aproximadamente veinte máquinas para 2027. Entre los primeros clientes se incluyen la fundición más grande de China, SMIC; el fabricante de memorias CXMT; y Hua Hong Semiconductor. Si bien veinte máquinas representarían una fracción de lo que ASML produce anualmente – la empresa neerlandesa envió 131 herramientas DUV por inmersión solo el año pasado – la importancia radica en la capacidad de producción en sí misma, no en el volumen inicial.
La litografía DUV por inmersión utiliza un láser excimer de fluoruro de argón para producir luz de 193 nanómetros de longitud de onda, que atraviesa una capa de agua ultrapura antes de imprimir los patrones de circuitos en una oblea. Esta técnica es la columna vertebral de la producción avanzada de chips en nodos de hasta 7 nanómetros y, con multipatroneado, puede alcanzar los 5 nanómetros. Hasta ahora, los únicos proveedores comerciales han sido ASML y, en mucha menor medida, Nikon y Canon.
Este avance lleva años gestándose. SMIC comenzó a probar un escáner DUV por inmersión doméstico fabricado por Shanghai Yuliangsheng Technology, una startup con vínculos con Huawei y SiCarrier, en septiembre de 2025. La máquina apunta inicialmente a procesos de clase 28 nanómetros, aunque las técnicas de multipatroneado podrían llevarla a nodos más finos. Otro fabricante chino de equipos, SMEE, ha vendido alrededor de diez unidades de su serie SSA800, que también apunta a la litografía por inmersión de 28 nanómetros.
La expansión de la producción llega en medio de una campaña estadounidense cada vez más agresiva para restringir el acceso de China a equipos avanzados de fabricación de chips. Washington había centrado previamente sus controles de exportación en la litografía de ultravioleta extremo, la tecnología necesaria para nodos de 5 nanómetros e inferiores. Pero los legisladores estadounidenses propusieron restricciones adicionales sobre las herramientas DUV por inmersión en abril de 2026, reconociendo que los equipos DUV con multipatroneado pueden cerrar gran parte de la brecha. El nuevo suministro nacional podría atenuar el impacto de dichos controles.
Quedan interrogantes sobre el rendimiento de las máquinas. El buque insignia de ASML, el TWINSCAN NXT:2150i, procesa más de 310 obleas por hora y puede alcanzar los 7 nanómetros en una sola pasada. Las especificaciones de rendimiento y precisión de los sistemas chinos no se han revelado, y las herramientas aparentemente todavía dependen de algunos componentes japoneses importados. Para la producción de DRAM de CXMT, que opera en nodos maduros, la brecha de rendimiento importa menos. Pero para las ambiciones de SMIC de producir chips de clase 5 nanómetros mediante quadruple patroneado autoalineado, las herramientas deberán demostrar un rendimiento y una precisión que aún no se han verificado.
Sources: China begins mass production of homegrown immersion chipmaking machines (Tom’s Hardware, 27 de julio de 2026); China Begins Limited Production of Domestic Immersion DUV Machines (TechPowerUp, 27 de julio de 2026); China begins limited production of homegrown immersion DUV lithography machines (Crypto Briefing, 27 de julio de 2026); China Starts Mass-Producing Homegrown DUV Chipmaking Tools (The Information, 27 de julio de 2026)
Traducido por Alessandra